Российские ученые разработали материалы для памяти будущего  

Флеш-память (USB-накопители, твердотельные диски) уже достигла предела своих возможностей: дальнейшее увеличение скорости, ёмкости и ресурса невозможно в рамках существующих технологий. Учёные НГУ предложили решение — использование мемристоров.

«Мемристоры могут увеличивать количество циклов перезаписи в разы. Кроме того, их скорость работы выше: если у флеш-памяти один цикл длится микросекунды, то у мемристоров — наносекунды или даже пикосекунды», — объяснил младший научный сотрудник лаборатории функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники НГУ Иван Юшков.

Основу разработки составили германо-силикатные стёкла — смесь оксидов кремния и германия. Эти материалы ранее исследовали отдельно, но новосибирские учёные впервые совместили их свойства и обнаружили в них мемристорный эффект («эффект памяти»).

Открытие имеет не только практическую ценность, но и теоретическую: теперь исследователи смогут рассчитывать параметры мемристоров без необходимости выращивать их наноструктуры. В перспективе это ускорит создание новых, более эффективных элементов памяти.